Dióxido del hafnio del análisis de espectro/óxido Hfo2 Cas del hafnio ningún 12055-23-1

 

       El hafnio (HfO2) es un hueco de banda ancha y una alta constante dieléctrica de la cerámica, en el campo de la microelectrónica de la industria especialmente es recientemente extremadamente atención, porque es más probable substituir el circuito integrado silicio-basado actual de los componentes de la base de la silicona dieléctrica de la puerta de (MOSFET) del tubo del efecto de campo del semiconductor de óxido de metal (SiO2), para solucionar el MOSFET en el desarrollo de la estructura tradicional límite del tamaño de SiO2/del Si.

 

1, fórmula molecular: HfO2

2. Peso molecular: 210,6

3. Aspecto: rebanadas blancas o grises, partículas

4. Densidad: 9.68g/cm3

5, punto de fusión: 2850 grados centígrado

6. Presión de la vaporización

En 2678 C, 1Pa

En 2875 C, 10Pa

7. El coeficiente de extensión linear: 5,6 x 10-6/K

8. Solubilidad: insoluble en agua

8, pureza: 99,99

9. Características de la película:

Gama ligera de la transmitencia a partir del 220 a 12000Nm

Índice de refracción (250nm) ~ 2,15

(500nm) ~ 2

10. La condición de la evaporación:

Arma electrónico

Presión parcial del oxígeno a 1~2 x 10-2Pa

Temperatura de la evaporación a 2600~2800 grados centígrado

Temperatura del substrato a 250 grados centígrado

Tarifa de evaporación 2nm/s

Campo del uso: Película de antireflejos ULTRAVIOLETA, membrana de interferencia

 

 

ARTÍCULO			ESPECIFICACIONES			RESULTADOS DE LA PRUEBA
HfO2+Zr (%, minuto)			minuto 99,9%			conforme
RE impurezas (%, máximos)
FE			0,0002			conforme
Al			0,0001			conforme
Si			0,002			conforme
Ti			0,01			conforme
B			0,0025			conforme
Pb			0,001			conforme
Cd			0,0001			conforme
Cu			0,002			conforme
Cr			0,005			conforme
Magnesio			0,001			conforme
MES			0,001			conforme
Manganeso			0,001			conforme
Ni			0,0015			conforme
Sn			0,002			conforme
V			0,001			conforme
L.O.I (1100℃)			1			conforme
El otro índice
Tamaño de partícula (milímetros)			0.1-3			conforman